技術文章
TECHNICAL ARTICLES碳化硅單晶材料的制備及缺陷分析以硅(Si)、砷化鎵(GaAs)為代表的代和第二代半導體材料的高速發(fā)展,推動了微電子、光電子技術的迅猛發(fā)展。然而受材料性能所限,這些半導體材料制成的器件大都只能在200℃以下的環(huán)境中工作,不能滿足現(xiàn)代電子技術對高溫、高頻、高壓以及抗輻射器件的要求。作為第三代寬帶隙半導體材料的代表,碳化硅(SiC)單晶材料具有禁帶寬度大、熱導率高、電子飽和遷移速率高和擊穿電場高等性質。SiC器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領域和航天、軍工、核能等環(huán)境應用領域...
壓力燒結爐結合了脫蠟、真空燒結和后續(xù)的熱等靜壓致密化等工藝,用于硬質合金或工程陶瓷的處理,可在真空、反應氣體和高至100巴的壓力下工作。該設備的加熱元件采用陶瓷纖維加熱扳或陶瓷發(fā)熱棒,可滿足快速升溫工藝要求;溫控系統(tǒng)采用進口多段智能程序溫度控制儀控制,溫度控制系統(tǒng)的穩(wěn)定性、重復性十分可靠;變頻無級調速,不銹鋼網(wǎng)帶傳送,全新的外觀設計理念,確保了產(chǎn)品平穩(wěn)輸送。設備主要用于特種陶瓷,精密陶瓷,熒光粉,發(fā)光粉,粉末冶金,鋰電池材料等無機材料的燒結。應用范圍:用于特種陶瓷,精密陶瓷,...
立式真空退火爐主要用來生產(chǎn)供二次真空用自耗電極和精密鑄造零件,大型真空感應爐也用來生產(chǎn)特殊鋼錠。冷坩堝熔煉又稱感應殼熔煉,其特點在于避免了未用耐火材料坩堝造成的污染,因而可無污染地熔煉活潑金屬及難熔金屬。真空電弧重熔是一種成熟的真空重熔技術,主要用于生產(chǎn)鈦基、鎳基或鈷基高溫合金、鈦、鋯等活潑金屬及鎢、鉬、鈮、鉭等難熔金屬,大型爐子也用來重熔特殊鋼。隨著空間技術、半導體工業(yè)的迅速發(fā)展,電子束重熔亦有很大進展,熔煉范圍業(yè)已從難熔金屬擴展到半導體材料和一些具有特殊用途的鋼種熔煉。用...
真空熱壓爐是一種以石墨為發(fā)熱元件的立式真空電阻爐。它具有框架式雙柱支撐。液壓缸在壓力源下升降,可用于金屬化合物、陶瓷、無機化合物、納米材料等,在真空或保護氣氛中加熱和沖壓產(chǎn)品。廣泛用于高溫、高真空條件下硬質合金、功能陶瓷、粉末冶金等熱壓燒結。在曝氣保護下也可以通過熱壓成型和燒結。主要應用范圍:熱壓成型、高溫燒結結合,適用于粉末冶金、功能陶瓷等新材料的高溫熱成型,如透明陶瓷、工業(yè)陶瓷等金屬及耐火材料。合金材料、陶瓷材料、碳化硅和氮化硅組成的金屬也可以用于在低于主要成分熔點的溫度...
氣氛爐采用先進技術研制開發(fā)的高性能高節(jié)能的新型電爐,有單管、雙管、臥式、可開啟式、立式、單溫區(qū)、雙溫區(qū)、三溫區(qū)等多種管式爐型。主要應用于大專院校、科研院所、工礦企業(yè)等實驗和小批量生產(chǎn)之用。具有安全可靠、操作簡單、控溫精度高、保溫效果好、溫度范圍大、爐膛溫度均勻性高、溫區(qū)多、可選配氣氛、抽真空爐型等。氣氛保護爐是國家標準節(jié)能型周期式作業(yè)爐,超節(jié)能結構,采用先進的復合爐襯結構,節(jié)電30%-40%適用于精密鑄造行業(yè)和模殼加熱,效率高,比燃油、燃煤成本大大降低。選用高品質節(jié)能型輕質泡...
真空氣氛爐也稱為無氧退火爐和在一定的爐內(nèi)燒結的其它物體。不同的材料選擇合適的氣氛燒結,有助于燒結工藝,提高產(chǎn)品致密化程度,獲得性能優(yōu)良的產(chǎn)品。設備常用于各種環(huán)境,如真空、氫氣、氧氣、氮氣和惰性氣體。例如,透明氧化鋁陶瓷可以在氫氣氣氛中燒結,透明的鐵電陶瓷應在氧氣氛中燒結,氮化鋁陶瓷等氮化陶瓷應在氮氣氣氛中燒結。有時需要在保護氣氛中操作以保護燒結。如果鉬絲爐適合氫,鎢絲爐應在真空中工作。使用行業(yè):廣泛用于陶瓷、冶金、電子、玻璃、化工、機械、耐火材料、新材料開發(fā)、特種材料、建材等...
不同氣氛對硅碳棒的影響隨著需控制爐內(nèi)氣氛要求的增加,關于在不同氣氛中使用硅碳棒的注意事項也變得越來越重要。而且,在燒成中與處理物揮發(fā)出來的各種化學物質之間的反應也同樣需要注意。所以,針對特殊氣氛和腐蝕性物質,我公司開發(fā)了各種防止硅碳棒快速老化的涂層。選用適當?shù)耐繉涌梢匝娱L硅碳棒的壽命。無論在哪種氣氛中都讓表面負荷盡量小。氣氛影響對策推薦涂層水蒸氣和濕氣比在干燥大氣中的使用壽命縮短1/5新爐子試運行或者舊爐子長時間不工作再使用時,要先低溫充分干燥后再升溫。U涂層氫氣硅碳棒溫度上...
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